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2018年江南大学硕士研究生入学考试
《半导体物理(含半导体器件)》考试大纲
一、考试的总体要求
掌握半导体物理的基本理论、基本知识和重要概念,了解一些半导体材料、工艺和基本
器件结构的基础知识。要求考生对基本概念有较深入的了解,能利用所学知识对具体问题进
行分析和解答。
需要较熟练掌握的内容包括,常见半导体材料的晶体结构,能带的基本概念,杂质和缺
陷能级,电离能,有效质量,迁移率,费米能级和载流子的统计分布,PN 结的形成、能带
图和电学特性,MOS 结构的形成、能带图和电学特性;需要定性了解的内容包括,非平衡
载流子,简并半导体,准费米能级,金属-半导体接触,半导体异质结的基本概念等。
二、考试的内容及比例
考试内容主要涉及半导体物理专业知识,也包括半导体材料、器件、工艺的一些基本知
识,具体比例如下:
1、半导体物理和材料方面的基础知识,包括重要半导体材料,如 Si、Ge、GaAs 等的晶
体结构、电子状态、能带结构、空穴、有效质量,缺陷类型和杂质类型;一些新型半导体材
料,如 III-V 族化合物半导体材料的基本知识;常见的半导体工艺,如清洗、氧化、扩散、
离子注入、光刻、腐蚀等的基本原理:15-25%
2、半导体杂质和缺陷能级、导电性的基础知识,包括费米能级和载流子的统计分布,
本征半导体的载流子浓度,杂质半导体的载流子浓度,浅能级杂质电离能;载流子的漂移运
动,迁移率和电导率,爱因斯坦关系式,泊松方程和连续性方程:55-65%
3、半导体基础结构和器件知识,包括 PN 结的形成、能带图及其电学特性;MOS 结构
的形成、能带图及其电学特性;金属-半导体接触,整流接触和欧姆接触;半导体异质结构,
光电导效应、太阳能电池、光电探测器、发光二极管等:15-25%
三、试题类型及比例
试题主要类型及大致比例如下:
1、简述题、简答题、名词解释:20-30%
2、论述题、综合分析题:40-60%
3、计算题、证明题:20-30%
四、考试形式及时间
考试形式为闭卷、笔试。试卷满分为 150 分,考试时间为 3 小时。可使用计算器。

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