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硕士研究生入学考试大纲考试科目名称：微电子制造原理
一、 考试大纲援引教材
《硅集成电路工艺基础》（第二版），关旭东，北京大学出版社，2014年04月
二、 考试要求：
主要考察学生对半导体制造技术中基本知识、原理以及制程的掌握情况，並具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。
三、考试内容：
(一) 半导体材料
1） 硅及其他主要半导体材料特性
2） 硅和硅片的制备、测试
3） 硅片制造中的污染控制
4） 半导体制造过程中的化学品和气体控制
(二) 氧化与淀积工艺
1） 氧化膜的结构及性质；
2） 热氧化及影响氧化速率的因素及氧化缺陷；
3） 化学气相淀积薄膜及技术的分类；
4） 化学汽相淀积（CVD）基本化学过程，
5） 不同材料、不同模式CVD方法系统原理、工艺与主要设备；
(三) 金属化工艺
1） 芯片制造过程中的主要金属及其合金的性能和应用范围；
2） 蒸发、溅射、电镀的原理及其工艺特点；
3） 典型的金属化工艺流程
(四) 光刻工艺
1） 光刻工艺的原理、方法和流程；
2） 掩膜版的制造；
3） 光刻工艺的基本步骤；
4） 光源及光学设备，对准及主要曝光、显影方式；
5） 光刻缺陷控制和检测；
(五) 刻蚀工艺
1） 刻蚀分类（湿法刻蚀、干法刻蚀）及应用；
2） 干法刻蚀系统，半导体生产中常用材料的刻蚀技术。
(六) 离子注入工艺
1） 离子注入原理、特点及应用；
2） 离子注入系统组成；
3） 离子注入浓度分布，注入损伤和退火。
(七) 集成电路制造工艺概况
1） CMOS工艺流程
2） CMOS制作步骤
3） 集成电路的封装与测试
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