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广东工业大学
全日制研究生招生考试专业课考试大纲
半导体物理
 
  基本内容:(300字以内)
  1. 半导体的电子状态: 半导体的晶格结构和能带结构,导带,价带,禁带宽度,有效质量、空穴。计算半导体的禁带宽度,电子和空穴的有效质量和准动量。
  2.半导体中的杂质和缺陷能级:能用共价键模型和能带模型解释施主杂质和施主杂质的电离过程,受主杂质和受主杂质的电离过程。杂质能级和电离能。
  3.半导体中的载流子的统计分布 :状态密度,费米能级,费米分布函数,计算不同温度和不同掺杂浓度下,半导体中的电子和空穴浓度及费米能级。
  4.半导体的导电性:漂移运动和漂移电流,迁移率,散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率与杂质浓度和温度关系
  5.载流子的注入与复合:非平衡载流子的产生和复合过程及其复合规律,非平衡少子的寿命,准费米能级、载流子的扩散运动和扩散电流,爱因斯坦关系,用连续性方程求解少子的运动和分布规律。
6半导体的霍耳效应。
 
  题型要求及分数比例:(博士生满分100分,学术型、专业学位硕士生满分150分)
  1.基本概念题(30分)
  2.填空和判断题(20分)
  3.计算题(60分)
  4.综合分析题(20分)
5.画图题(20分)(用图形形象表达半导体物理的基本概念和基本物理过程)
 
  参考书目:
刘恩科等,半导体物理学(第7版),电子工业出版社,2008。
 
  注:考生携带特殊工具
  简单计算器(不带记忆功能的),简单作图工具(三角尺、直尺、铅笔)
 

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