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课程编号：813
初试考试科目名称：半导体物理或电介质物理
本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分： 半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：
一、考试的总体要求
本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p－n结、MOS结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
二、考试的内容及比例：
（一） 考试内容要点：
第一部分：（70%）
1、 半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；
2、 热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半 导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
3、 半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念，半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；
4、 非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
5、p－n结、MOS结构：平衡与非平衡p－n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I－V特性，p－n结电容概念与击穿机制，p－n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
6、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C－V特性， MOS系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C－V特性的影响），表面电场对p－n结特性的影响；
第二部分：（30%）
7、 半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异
质p－n结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；
8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器， 半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；
9、 半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，
非晶态半导体概念；
（二） 比例：
考试内容前6个问题占70%，后3个问题占30%，计算与推导题基本覆盖在2至6个问题中。
三、试卷题型及比例
1、 概念与问答题：40%；2、论述题：30%；3、计算与推导题：20%；
4、实验与综合题：10%。
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为三小时（满分150）。
第二部分：电介质物理大纲（参加电解质物理考试的考生参考）：
一、考试的总体要求
本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念，并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。
二、考试的内容及比例
考试具体范围如下：
1． 恒定电场中电介质的极化
（1）介电常数和介质极化；
（2）有效电场；
（3）克－莫方程及其应用；
（4）电子位移极化与离子位移极化。
2． 恒定电场中电介质的电导：
（1） 气体介质的电导；
（2） 液体介质的电导；
（3） 固体介质的电导；
（4） 固体介质的表面电导；
（5） 直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。
3． 交变电场中电介质的损耗
（1）复介电常数和复折射率；
（2）介质损耗；
（3）弛豫现象；
（4）德拜方程；
（5）介质损耗与温度的关系。
三、试卷类型及比例
1． 选择题或填空题：30%
2． 辨析题或简答题：30%
3． 计算题或分析题：20%
4． 综合题：20%
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为3小时（满分150分）。
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