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姓名: 刘昌龙
性别:男
出生年月: 1967年07月
籍贯:
职称:教授,博导
邮编:
办公室电话:
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家庭电话:
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单位:理学院,应用物理系
研究方向1: 离子束材料表面改性
研究方向2: 固体材料中离子辐照损伤效应
研究方向3: 离子束在功能材料中的应用
简介:
学习和工作经历:
1985年9月—1989年7月:南京大学物理系磁学专业学习,获理学学士学位
1989年8月—1999年8月:中国科学院近代物理研究所工作,研究实习员
1990年9月—1993年7月:中国科学院近代物理研究所攻读硕士研究生,获理学硕士学位
1993年9月—1995年8月:中国科学院近代物理研究所工作,助理研究员
1995年9月—1999年6月:中国科学院近代物理研究所攻读博士研究生,获理学博士学位
1999年11月—2000年10月:英国University of Surrey,访问学者
2000年11月—2001年6月:中国科学院近代物理研究所工作,副研究员
2001年7月—2003年6月:法国国家科研中心和欧洲ST微电子公司,博士后
2003年7月至今:天津大学理学院应用物理系教授
研究成果:
主要参加和完成多项国家自然科学基金项目、中国科学院“八五”、“九五”重点基金项目以及多项甘肃省自然科学基金项目,以第一作者在国内外核心期刊上发表论文30余篇,其中《SCI》《EI》收录20篇。
中国核物理学会会员
代表著作:
Damage Production in Silicon after High Energy Ar Ion Irradiation, Nucl. Instru. Meth. B135 (1998) 219-224.
Chemical Modifications in PET Films Induced by 35MeV/u Ar Ions, Nucl. Instru. Meth. B166-167 (2000) 641-645.
Molecular Conformation Changes of PET Films under High Energy Ar Ion Bombardment, Nucl. Instru. Meth. B169 (2000) 72-77.
Study of Effects in Polyethylene Terephthalate Films Induced by High Energy Ar Ion Irradiation, Nucl. Instru. Meth. B169 (2000) 78-82.
The Evolution of Cavities in Si co-implanted with Si and He Ions, Mater, Sci. & Eng. B102 (2003) 75-79.
The Role of a Top Oxide Layer in Cavities Formed by MeV He Implantation into Silicon, European Physics: J. Appl. Phys. 23 (2003) 45-48.
获奖情况:
2002年荣获甘肃省科技进步二等奖
讲授课程:
大学物理,核技术分析,粒子与固体相互作用物理学,物理实验
正在承担项目:
天津大学人才引进启动基金项目“He离子注入单晶Si引起的气泡形成生长及其应用研究”
已完成项目:
主要参加和完成多项国家自然科学基金项目、中国科学院“八五”、“九五”重点基金项目以及多项甘肃省自然科学基金项目
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