友情提示:本站提供全国400多所高等院校招收硕士、博士研究生入学考试历年考研真题、考博真题、答案,部分学校更新至2012年,2013年;均提供收费下载。 下载流程: 考研真题 点击“考研试卷””下载; 考博真题 点击“考博试卷库” 下载
华侨大学 2013 年硕士研究生入学考试专业课试卷 (答案必须写在答题纸上) 招生专业 物理电子学 科目名称 大学物理(物电专业) 科目代码 843 一 选择题(共 30 分) 1.(本题 3 分) 下面列出的真空中静电场的场强公式,其中哪个是正确的? (A) 点电荷 q 的电场: 2 04 r q E .(r 为点电荷到场点的距离) (B) “无限长”均匀带电直线(电荷线密度)的电场: r r E 3 02 ( r 为带电直线到场点的垂直于直线的矢量) (C) “无限大”均匀带电平面(电荷面密度)的电场: 02 E (D) 半径为 R 的均匀带电球面(电荷面密度)外的电场: r r R E 3 0 2 ( r 为球心到场点的矢量) [ ] 2.(本题 3 分) 图中实线为某电场中的电场线,虚线表示等势(位)面,由 图可看出: (A) EA>EB>EC,UA>UB>UC. (B) EA<EB<EC,UA<UB<UC. (C) EA>EB>EC,UA<UB<UC. (D) EA<EB<EC,UA>UB>UC. [ ] 3.(本题 3 分) 关于高斯定理,下列说法中哪一个是正确的? (A) 高斯面内不包围自由电荷,则面上各点电位移矢量 D 为零. (B) 高斯面上处处 D 为零,则面内必不存在自由电荷. (C) 高斯面的 D 通量仅与面内自由电荷有关. (D) 以上说法都不正确. [ ] 共 4 页 第 1 页 C B A
免责声明:本文系转载自网络,如有侵犯,请联系我们立即删除,另:本文仅代表作者个人观点,与本网站无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。
|