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桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷 A
考试科目代码：227 考试科目名称：半导体物理
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
一、选择（每小题 3 分，共 15 分）
1. 在 GaAs 中熔入 GaP 可使其（）
A．禁带变宽 B. 增加电子陷阱
C．禁带变窄 D. 增加空穴陷阱
2. 欧姆接触是指（）的金属半导体接触
A． s
0m
W B． s
0m
W
C． s
0m
W D．阻值较小且具有对称而线性的伏安特性
3. 有效复合中心的能级必靠近（）
A．禁带中部 B．导带
C．价带 D．费米能级
4. 有一种半导体材料的霍尔系数为零，该材料通常是（）
A．n 型 B．p 型
C．本征型 D．高度补偿性
5. 有三个硅样品，其掺杂情况分别是（）
甲．含铝 15 3
1 10 cm
乙. 含硼和磷各 17 3
1 10 cm
丙. 含镓 17 3
1 10 cm
A．甲乙丙 B．甲丙乙
C．乙甲丙 D．丙甲乙
二、简答(每小题 8 分，共 40 分)
1. 从能带论的角度简述导体、半导体、绝缘体的导电性。
2. 以 V 族元素掺入 Si 中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导体。
3. 简述 PN 结耗尽区的形成机制。
4. 简述塞贝克或温差电效应
5. 简述霍尔效应和量子霍尔效应以及二者的区别。
三、计算(每小题 15 分，共 45 分)
1. 有一硅样品，施主浓度为 14 3
2 10 /D
N cm ，受主浓度为 14 3
10 /A
N cm ，已知施主电离
能 0.05D C D
E E E eV ，试求 99%的施主杂质电离时的温度。
2. 室温下，本征锗的电阻率为 47 cm ，试求本征载流子。设 2
3600 /n
cm （ V s），
2
1700 /p
cm （ V s）
3. 某 n 型半导体硅，其掺杂浓度为 15 3
10 /D
N cm ，少子寿命 5p
s ，由于外界作用，使
其少数载流子全部被清除，试求此时电子-空穴的产生率是多大？设 10 3
1.5 10 (1 / )i
n cm
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请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
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