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第 1 页 共 3 页 桂林电子科技大学 2013 年研究生统一入学考试试题 (A 卷) 科目代码:909 科目名称:材料科学基础(B) 请注意:答案必须写在答题纸上(写在试题上无效)。 一、名词解释(任选 6 题作答,每题 5 分,共 30 分) 1、晶面间距;2、肖特基缺陷;3、刃型位错;4、非均匀形核;5、柯肯达尔效应; 6、莱氏体;7、桥氧;8、烧结 二、简答题(任选 4 题作答,每题 10 分,共 40 分) 1、证明理想密排六方结构晶体的轴比 c/a 为 1.633。 2、什么是细晶强化?简述细晶强化的机理。 3、什么是置换固溶体?影响置换固溶体溶解度的因素有哪些?形成无限固溶体的必要条件是 什么? 4、简述 F-R(弗兰克-瑞德)位错增殖机制,并予以图示。 5、NaCl 溶入 CaCl2 中形成空位型固溶体,请写出其缺陷反应式。 6、试描述固相烧结过程中三个阶段的特点? 三、分析题(任选 2 题作答,每题 15 分,共 30 分) 1、在同一晶胞中画出立方晶系中的 )321( 晶面以及 ]123[ 晶向。 2、分析位错反应 ]111[ 3 ]211[ 6 ]110[ 2 aaa 能否发生?(要求写出判断依据)。 3、根据 Al2O3-SiO2 系统相图(下图)说明,为了保持较高的耐火度,在生产硅砖时应注意什 么?
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