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姓名： 刘昌龙
性别：男
出生年月： 1967年07月
籍贯：
职称：教授，博导
邮编：
办公室电话：
手机：
家庭电话：
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单位：理学院，应用物理系
研究方向1： 离子束材料表面改性
研究方向2： 固体材料中离子辐照损伤效应
研究方向3： 离子束在功能材料中的应用
简介：
学习和工作经历：
1985年9月—1989年7月：南京大学物理系磁学专业学习，获理学学士学位
1989年8月—1999年8月：中国科学院近代物理研究所工作，研究实习员
1990年9月—1993年7月：中国科学院近代物理研究所攻读硕士研究生，获理学硕士学位
1993年9月—1995年8月：中国科学院近代物理研究所工作，助理研究员
1995年9月—1999年6月：中国科学院近代物理研究所攻读博士研究生，获理学博士学位
1999年11月—2000年10月：英国University of Surrey，访问学者
2000年11月—2001年6月：中国科学院近代物理研究所工作，副研究员
2001年7月—2003年6月：法国国家科研中心和欧洲ST微电子公司，博士后
2003年7月至今：天津大学理学院应用物理系教授
研究成果：
主要参加和完成多项国家自然科学基金项目、中国科学院“八五”、“九五”重点基金项目以及多项甘肃省自然科学基金项目，以第一作者在国内外核心期刊上发表论文30余篇，其中《SCI》《EI》收录20篇。
中国核物理学会会员
代表著作：
Damage Production in Silicon after High Energy Ar Ion Irradiation， Nucl. Instru. Meth. B135 （1998） 219-224.
Chemical Modifications in PET Films Induced by 35MeV/u Ar Ions， Nucl. Instru. Meth. B166-167 （2000） 641-645.
Molecular Conformation Changes of PET Films under High Energy Ar Ion Bombardment， Nucl. Instru. Meth. B169 （2000） 72-77.
Study of Effects in Polyethylene Terephthalate Films Induced by High Energy Ar Ion Irradiation， Nucl. Instru. Meth. B169 （2000） 78-82.
The Evolution of Cavities in Si co-implanted with Si and He Ions， Mater， Sci. & Eng. B102 （2003） 75-79.
The Role of a Top Oxide Layer in Cavities Formed by MeV He Implantation into Silicon， European Physics： J. Appl. Phys. 23 （2003） 45-48.
获奖情况：
2002年荣获甘肃省科技进步二等奖
讲授课程：
大学物理，核技术分析，粒子与固体相互作用物理学，物理实验
正在承担项目：
天津大学人才引进启动基金项目“He离子注入单晶Si引起的气泡形成生长及其应用研究”
已完成项目：
主要参加和完成多项国家自然科学基金项目、中国科学院“八五”、“九五”重点基金项目以及多项甘肃省自然科学基金项目
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