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《微电子学基础》考试大纲 一、总体要求 主要考察学生掌握“微电子器件及集成电路”的基本知识、基本理论的情况, 以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。 二、考试内容 微电子学基础的考试内容由两部分构成,分别为《微电子器件》和《半导体 集成电路》的基础知识,所占比例基本相同。具体如下: (一)《微电子器件》考试内容 1.半导体器件基本方程 1)一维形式的半导体器件基本方程 2)基本方程的主要简化形式 2.PN 结 1)突变结与线性缓变结的定义 2)PN 结空间电荷区的形成 3)耗尽近似与中性近似 4)耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算 5)正向及反向电压下 PN 结中的载流子运动情况 6)PN 结的能带图 7)PN 结的少子分布图 8)PN 结的直流伏安特性 9)PN 结反向饱和电流的计算及影响因素 10)薄基区二极管的特点 11)大注入效应 12)PN 结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的 机理及特点、热击穿的机理 13)PN 结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点 14)PN 结的交流小信号参数与等效电路 15)PN 结的开关特性与少子存储效应 3.双极型晶体管
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