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桂林电子科技大学 2013 年硕士研究生入学考试 复试试卷 A 考试科目代码:227 考试科目名称:半导体物理 请注意:答案必须写在答题纸上(写在试卷上无效)。 一、单项选择题(每题 2 分,共 20 分) 1、本征半导体是指( ) A、施主掺杂的半导体 B、受主掺杂的半导体 C、没有杂质和缺陷的半导体 D、施主、受主共掺杂的半导体 2、直接带隙半导体的辐射效率( ) A、较高 B、较低 C、跟带隙类型无关 3、对于一定的 n 型半导体,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致( )靠近 Ei。 A、Ec B、Ev C、Eg D、EF 4、关于 PN 结说法错误的是( ) A、平衡时,pn 结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等 B、pn 结空间电荷区中的内建电场起到阻碍电子和空穴继续扩散的作用 C、pn 结是结型半导体器件的心脏 D、所谓平衡 pn 结指的是热平衡状态下的 pn 结 5、光电导效应是指( ) A、光在介质传播时的电导 B、光在半导体材料中的传播速度 C、光照引起半导体材料电导率的变化 D、光照产生光致发光 6、非平衡载流子就是( ) A、处于导带还未与价带空穴复合的电子 B、不稳定的电子空穴对 C、不停运动着的载流子 D、偏离热平衡状态的载流子 7、公式 μ=qτ/m*中的 τ 是半导体载流子的( ) A、迁移时间 B、寿命 C、平均自由时间 D、扩散时间 8、关于公式 2 i np n ,下列说法正确的是( ) A、此公式仅适用于本征半导体材料 B、此公式仅适用于杂质半导体材料 C、此公式不仅适用于本征半导体材料,也适用于杂质半导体材料 D、对于非简并条件下的所有半导体材料,此公式都适用 9、下列哪个参数不能由霍尔效应确定( ) A、载流子浓度 B、迁移率 C、有效质量 m* 10、pn 结击穿主要有以下三种机制( ) A、雪崩击穿、隧道击穿、跃迁击穿 B、雪崩击穿、隧道击穿、热电击穿 C、热点击穿、隧道击穿、跃迁击穿 D、雪崩击穿、热电击穿、跃迁击穿 共 2 页 第 1 页
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