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《半导体器件物理》博士生入学考试大纲 一、复习内容及基本要求 1.半导体中载流子特性:晶体结构,能带与能隙,载流子及热平衡,载流子宏观迁移。 2.p-n 结形成;耗尽层,电流电压特性,结击穿,异质结,传输过程与噪音。 3.双极器件;静态特性,微波特性,异质结双极晶体管。 4.MIS;电流传输过程,器件结构,欧姆接触,势垒高度,理想 MIS 电容。 5.MOS:基本器件特性;期间按比例缩小,短沟道效应,器件基本结构。 6.JFET 原理与特性。 7.光电子器件(LED、太阳能电池)原理以及特性。 8.巨磁阻效应及其器件 9.考试的基本要求 要求考生有扎实的半导体物理,半导体器件,及微电子实验基础理论知识和技术基础。掌握 半导体器件系统的主要组成部分的基本原理,能够综合量子物理、半导体物理、器件物理的 知识分析和解决问题。 二、建议参考 1.施敏编著 《现代半导体器件物理》第 3 版 西安交通大学出版社。 2.韩秀峰著 《自旋电子学导论》上卷 第一章 科学出版社。
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