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北京大学微电子学研究院/微电子系是我国高水平微电子科学技术研究基地和微电子人才培养基地，长期得到国家的大力支持和重点扶持，科技实力雄厚，人才济济，拥有著名的微电子学家王阳元院士等多名学科带头人；人才培养体系完备，科学研究设施先进，拥有三个国家或部门重点实验室，实验设备总资产超过1亿元，实验室水平在许多方面与国际水平同步。
微电子学研究院下设三个研究所：ULSI科学与技术研究所（ULSI），集成系统芯片研究所（SOC），微机电系统研究所（MEMS）。科学研究在基础研究、关键技术、应用开发三个层面上展开，已经取得了一系列具有国际先进水平的科研成果。
主要研究方向
ULSI新结构器件；射频SOI器件；宽禁带半导体材料与器件；MOS器件可靠性物理及应用；嵌入式微处理器；信息安全芯片；多目标芯片；硅基MEMS加工与设计技术；MEMS器件；MEMS封装与测试技术。
人员结构
北京大学微电子学研究院共有教职员工92人，其中中科院院士1人，教授16人、研究员2人、教授级高工3人，副教授17人，高工9人，中级职称者22人，初级职称者2人。
主要科研成果：
“十五”期间，共发表论文近800篇，其中被SCI录用191篇，被EI录用332篇；共申请专利108项，有27项已获专利授权。
“硅基MEMS技术及应用研究”获国家发明二等奖和北京市科技进步一等奖；
“小尺寸MOS器件可靠性及其应用技术研究”和“CMOS/SOI ASIC及深亚微米器件电路研究”均获科技部、财政部、国家计委、国家经贸委“九五”国家重点科技攻关计划优秀科技成果；
“新型抗辐照CMOS/SOI集成电路技术研究”获信息产业部科技进步二等奖；
“用于集成电路芯片检测与分析的比例差值算符及其应用技术”获教育部科技进步二等奖。
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